Historia de Angstrom
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EntrarEl 23 de junio de 1963 por orden del Presidente del Comité Estatal de Ingeniería Electrónica A.I. Shokin, en el Centro de Microelectrónica (Zelongrado) se estableció el Instituto de Investigación 336, más tarde, Instituto de Investigación de Tecnología de Precisión (NIITT). Al igual que el resto del Centro de Microelectrónica, el NIITT estaba destinado a convertirse en un centro de innovación de la industria. Sus principales tareas eran crear productos totalmente nuevo para entonces - los circuitos integrados (IC) , el diseño, la depuración de la tecnología de producción, su producción piloto y su transmisión a las fábricas de producción en masa del país. De acuerdo con los objetivos del Ministerio, por orden № 87 en el NIITT se estableció la planta piloto "Angstrom", trabajó durante los primeros años en espacios temporales del NIITT.
Los fundadores del NIITT y de la planta piloto "Angstrom" fueron Alexander K. Katmai, Ingeniero Jefe del NIITT, Sergeev Vladimir Sergeevich, Director del NIITT y Papava Savelyan Davidovich, gerente de la planta.
Recuerda Vladimir Sergeevich, originalmente en el instituto se ha asignado una habitación, donde había mesas y sillas, pero no había ni siquiera un pedazo de papel. A finales de 1963 la empresa contaba con más de 100 empleados. En 1963 en el NIIMP formado un año antes se desarrolló la radio miniatura "Micro".
Esta radio está hecha con la tecnología de película delgada, fue el primer producto de la microelectrónica del país que entró en producción en serie. Y este fue el primer producto de la microelectrónica exportados a Europa.
En 1964, ante la ausencia de materiales técnicos, literatura profesional, teniendo como referencia una foto de la forma general de los circuitos integrados de la empresa IBM, nuevo equipo fue desarrollado y ha dominado en la producción de la primera serie de integrados hibridos. Los IC de híbridos se realizaron con una tecnología de película gruesa en un nivel de integración de 20-50 elementos. Estos IC estaban en consonancia con el nivel.
Posteriormente, estos IC fueron ampliamente utilizados en numerosos dispositivos electrónicos y sistemas, en particular en la gestión de una serie de naves espaciales. Tras el "exito" la los primeros IC se desarrollaron nuevos productos. Entre 1964-65 en la planta piloto del NIITT fue desarrollada y depurada la tecnología básica IC de película gruesa.
Esta tecnología básica se ha introducido en la producción de muchas plantas de la industria. Más tarde NIITT y la planta "Angstrom" creó un montón de tecnologías básicas para la producción industrial de híbridos y de semiconductores IP, así como viviendas para los chips que están incrustados en la industria de producción de las plantas.
En 1965 se desarrollaron los procesos tecnológicos básicos que permitió por primera vez en 1966, obtener el transistor MOS en el país (cabe señalar que la frase "por primera vez en el país" es aplicable a muchos procesos y productos desarrollados en el instituto y dominado por "Angstrom"). Al mismo tiempo se trabajaba en la creación de dispositivos CMOS y en 1967 se creó el primer IC CMOS del país. Muestra en 1968 se llevaron a una exposición en París, donde los productos de la compañía elevó las cejas de especialistas en el extranjero, firmemente convencido de que nada de eso en la Unión Soviética podía ser.
La creación del complejo científico-industrial NIITT"y la planta Angstrom concluyeron en 1968. Por este tiempo la planta ya ha producido 600 000 circuitos integrados y su tecnología de producción fue transferida a más de 100 empresas de la industria y los países amigos de Europa del Este. Durante este período, el Instituto había realizado la investigación fundamental en la tecnología, los materiales y los procesos utilizados en la producción de transistores sin marco, matriz de diodos, circuitos integrados , se trabajó sobre la creación de esquemas de MOSFETs, se desarrolló la tecnología y se dominó la producción de IC monolíticos.
A finales de 1973, la empresa ya había llevado a cabo 290 proyectos de investigación, creado y llevado a la producción más de 200 tipos de IC.
861 funcionarios recibieron órdenes y medallas, ocho de ellos se convirtieron en los ganadores del Premio Estatal de la URSS. En el aniversario de 1973, la compañía ha desarrollado e implementado en producción los procesos básicos de fabricación de IC LSI, como resultado la planta y NIITT inició una transición suave desde el los IC híbrido a IC monolíticos. Una de las principales actividades fue la creación de CI memorias, ya que su tecnología de producción era visto como un signo del dominio de la tecnología. Hito en esta dirección fue la creación en 1975 de la primera memoria LSI de 4K bits y en 1979 de 64 K bits. Sobre esta base, desarrolló el primer bloque de memoria RAM de "64K" y " 56 KB " (de 64 K y 256 K y 16-bit), que puso fin a la memoria del núcleo de ferrita. Para la economía nacional los efectos de su creación era enorme - un circuito en miniatura reemplazaba varios grandes bloques de dispositivos de memoria de ferrita.
La creación y desarrollo de la tecnología CMOS permitió resolver dos problemas de la época:
• en 1973 se diseño y desarrollo para la producción en masa los cinco CI LSI especializados para el primer microcalculador del país: "Elektronika B3-04";
• en 1974 -75, respectivamente, dentro del programa general del Centro de desarrollo, sobre la base del diseño arquitectónico y la tecnología con el centro especializado de computación (SEC) se llevó a cabo el desarrollo del primer microprocesador del país (Serie 587).
El microprocesador de la serie 587 ofrece la posibilidad de construir una variedad de procesadores de datos, con una capacidad de un múltiplo de cuatro bits. Tuvo tanto éxito, hasta el momento se continúa produciendo (tras más de 30 años!) por demanda de los consumidores.
En esos años la más próspera de la compañía de semiconductores en el mundo era la empresa Intel. En comparación con ella, la planta Angstrom tenía una pequeña brecha en los indicadores técnicos y económicos. Así, Intel ha dominado la producción en serie de la memoria de 4K en 1974, en 1975 en Angstrom fue dominada la producción en masa de un esquema similar. Intel comenzó la producción de memorias de 16K en 1977, Angstrom en 1978, Intel lanzó las de 64 K en 1979, Angstrom en el mismo 1979
La transición a la producción de complejos IC ha requerido la creación de sistemas de diseño asistido por ordenador (CAD) para desarrollar su topología y la producción de fotomáscaras. Estos sistemas CAD en la empresa han sido desarrollados, utilizados y se introdujo en la industria.
Un problema importante en la creación de los IC híbrido y monoliticos fue el desarrollo de su encapsulado. NIITT tenido que asumir el papel de la sociedad dominante en la industria para llevar a cabo el desarrollo y organización de la producción de encapsulados para circuitos integrados. Esto requirió la creación de un marco normativo adecuado, que junto con TsNII-22 fue diseñado e implementado en la industria como los estándares del sector.
En 1976 como resultado de la reorganización del Centro Científico de Zelenograd , e agregó al NIITT un gran Grupo de desarrolladores de Informática del SVTs. Este grupo trajo una nueva dirección, microprocesadores, microcomputadores y los Sistemas basados en ellos. Se completó en el NIITT SVTs la puesta en marcha de un conjunto de microprocesadores de la serie 587, 588 (con el "Integral", Minsk), 1883 (con la empresa Robotron, GDR), 1802 (con NIIMe y la planta "Micron"), los micro-ordenadores, "Electronics NTs-02, NTs-02M, NTs-03T, NTs-04T, NTs-05T", un centro de conmutación de mensajes "Juruzan" complejo computacional "Conexión 1", etc
En 1980 se desarrolló y se puso en marcha la producción del microcontrolador de 16-bit K1801VE1, sin embargo los consumidores domésticos no estaba dispuesto a utilizar este microcontrolador. Sobre esta base, se comenzó a construir un microprocesador de 16 bits, eliminando del cristal la memoria y algunos periféricos que no se utilizan. Como resultado de ello se lanzó el microprocesador N-MOS K-1801VM1, con el bus del sistema compatible con el microprocesador "Elektronika-60". Se diseñó sobre la base de la matriz del cristal K1801VP1 más de 30 controladores para varios dispositivos periféricos basados en él. Posteriormente siguió el desarrollo de los microprocesadores más potentes K1801VM2, VM3 y el coprocesador VM4. En la fabricación de este equipo tuvo una parte activa LNPO "Svetlana" (Serie K1809). Luego fue liberado la versión CMOS (Serie 1806), ampliamente utilizado en vehículos especiales (¿?).
En mayo de 1981, sobre la base del K1801VE1 sido diseñado y fabricado lo que posteriormente se conoció como "PC" ( computadora para uso personal) "Electrónica SC-8010". Fue el primer PC de nuestro país , con IC y arquitectura doméstica (NTs) (NTs-02 equipo, NTs-02M, NTs-03T, NTs-04T,NTs-05T). Pronto, sin embargo, el ministerio había decidido suspender las obras de la arquitectura NTs en favor de la arquitectura SM ( enpresa DEC, EE.UU.). La PC tuvo que reciclarse basada en un microprocesador K1801VM1, nació como resultado la computadora "Elektronika VK-0010" , la primera de producción masiva en el país (¿? N.T.) y una de las más masivas, que se utilizaron para dar clases de computación en las escuelas. Su popularidad fue tan alta que ha dado lugar a numerosas alianzas de usuarios que se han unido en sitios de Internet aún activos hoy en día.
Simultáneamente, el microprocesador K1801VM1 se convirtió en la base de uno de las primeras PC doméstica, la "DKV-1" (el término PC todavía no e usaba en ese entonces). Más tarde, ordenadores similares fueron basados en los microprocesadores K1801VM2 y K1801VM3, como resultado surgieron las computadoras DVK-2, DVK DVK-3 y DVK-4.
En los años 1977-78 una serie de microprocesadores IC 587 han sido desarrollados y utilizados en la fabricación de computadoras, "I-04" y bloque de la memoria "I-08" para sistemas de navegación satelital. El microprocesador 1806VM2 fue utilizado en la estación espacial orbital "Mir" donde han trabajado durante 15 años hasta su destrucción.
Una nueva etapa en la historia de la compañía fue la creación en 1986 por primera dvez en el país de un microprocesador de 32-bit kit (serie 1839) con la arquitectura μVAX-11. Proporciona una oportunidad para construir una variedad de computadoras de alto rendimiento y sistemas altamente fiables, incluyendo triple redundancia.
La base científico, tecnológico e industrial establecida ha permitido que en el año 1981 se comenzara a desarrollar una memoria de 256 K con un nivel de integración de más de dos millones de transistores en un chip. El lanzamiento del programa se inició en 1983. También en 1983 comenzó a desarrollarse una memoria de 1Mbits. Era necesario para su producción un nivel de tecnología de 1 micra. El esquema ha sido desarrollado, pero su lanzamiento en producción no era posible: Las habitaciones limpias disponible en "Angstrom" y el equipo no ofrecen una precisión suficiente para su producción. El liderazgo del ministerio en ese momento no respondió adecuadamente a la necesidad de una instalación totalmente nueva de producción con reglas topológicas en la micra y submicroniana. Como resultado, el momento óptimo para el re-equipamiento se perdió, con lo que comenzó una acumulación constante de atraso de la planta de producción "Angstrom" con resecto a la microelectrónica de clase mundial. Sólo en 1988, junto con la empresa alemana "Meissner y Wurst", comenzó la construcción de un edificio de nueva producción (obleas de 200 mm y topologías de 0.8-0.5 micrones. Fue construido, equipado con todos los accesorios. Pero la situación en el país ha cambiado drásticamente y la construcción que no tiene igual en el país, sigue a la espera de su finalización.
La empresa siempre ha tenido las mayores tasas de crecimiento. Entre los años 75-80 la producción en la planta "Angstrom" ha crecido 40 veces, desde 1980 hasta 1985 en alrededor de 10 veces. Las tasas anuales de crecimiento de la producción variaron de 150 a 200 por ciento.
El NIITT y la planta "Angstrom" ha ocupado varias veces los grandes lugares en la emulación socialista, ha sido galardonado con la Orden de la Revolución de Octubre.
3150 los miembros del equipo fueron galardonados por los premios al Mérito del Trabajo y medallas de la Unión Soviética, 23 trabajadores fueron galardonados con el Premio Estatal de la URSS, fueron Héroe del Trabajo Socialista el primer director Vladimir Sergeyevich Sergeyev y el ingeniero jefe (más tarde director de la empresa) Anatoly T. Yakovlev
Sin embargo las reformas del país que se iniciaron a mediados de los ochenta rompió esta tendencia. El mercado interior comunitario en el país casi se derrumbó en 1991 y sus restos fueron inundados con un flujo sin restricciones de IC externos. Se tuvo que confiar en los mercados extranjeros, principalmente en el creciente mercado en el Sudeste de Asia (SEA). Se realizó de inmediato una investigación de mercado apropiado, se desarrollaron y pasaron a la producción nuevos IC. En 1992 se inició el suministro hacia el sureste de Asia. En los primeros años hasta el 97% de la producción se destinaba a la exportación. La planta "Angstrom" se ha convertido en uno de los principales proveedores del mundo de CI para las calculadoras, juegos electrónicos, relojes, etc. Con los años, las exportaciones al mercado mundial de IC para calculadoras alcanzaron entre el 50 y el 97%. El trabajo en el mercado internacional con estrictos requisitos de calidad y la disciplina de su oferta fueron una buena escuela para NIITT y la planta "Angstrom". Como resultado la compañía ha realizado los cambios necesarios, y la compañía obtuvo la certificación del cumplimiento de las normas internacionales ISO 9001:1994.
Esto fue facilitado por el hecho de que en 1993 la empresa estatal NIITT y la la planta "Angstrom" como un solo complejo se convirtió en una empresa pública, "Angstrom" (JSC "Angstrom").
La nueva empresa ha recibido la plena independencia y ha perdido el apoyo del Estado.
En este punto, la JSC "Angstrom" tiene la capacidad de producir cristales de IC en obleas con un diámetro de 100 mm en las tecnologías CMOS, BiCMOS, y N-MOS con reglas topológicas de 2-1,5 micrones y metalización de dos capas. En 1996 se le encargó una nueva línea de obleas de 150 mm para la producción de cristales en CMOS y BiCMOS con reglas topológicas de 1,2 a 0,8 micrones sobre la que posteriormente se desarrollo la tecnología de 0,6 micras. Posteriormente se trabajó sobre la construcción de la nueva línea de producción para producir cristales en obleas de 200 mm de diámetro con topológias de 0,18 a 0,13 micro.
En los años siguientes la empresa ha llevado a cabo la reorganización estructural y la complejidad de las obras en la preparación para la re-certificación del cumplimiento de las normas internacionales más recientes para el sistema de gestión de calidad y el 15 de marzo de 2006 fue certificado el cumplimiento de la norma ISO 9001:2000. .)
Tecnología de producción
linea 100: Topología :1.2 microns
2 niveles de metalización
48.000 obleas al año
Linea 150: obleas de 150 mm,
Topologia :0.6 microns
2 niveles de metalización
96.000 obleas al año
Linea 200: Level:
Obleas de 200 mm,
Topología :0.35-0.25 microns
4 niveles de metalización
48.000 obleas al año